China creează cel mai mic tranzistor din lume cu o poartă de 0,34 nm, care este limita pentru materialele moderne
Un grup științific din Imperiul Celest a reușit să vină cu un design unic de tranzistor. Soluția lor de proiectare a făcut posibilă obținerea celui mai mic tranzistor din lume, cu o lungime a porții de 0,34 nm.
Nu mai este posibilă reducerea suplimentară a dimensiunii oblonului folosind așa-numitele procese tehnologice tradiționale. La urma urmei, lungimea porții rezultată este egală cu lățimea unui singur atom de carbon.
Cum au reușit inginerii să obțină un astfel de rezultat
Aș dori să spun imediat că, în prezent, dezvoltarea inginerilor chinezi este experimentală și, până acum, nu se poate lăuda cu niciun parametri tehnici remarcabili.
Dar, în ciuda acestui fapt, inginerii au arătat însăși posibilitatea unui astfel de concept, precum și capacitatea sa de a fi reprodus folosind procese tehnologice tradiționale.
Deci, oamenii de știință au numit dispozitivul rezultat „Sidewall Tranzistor”. Da, însăși ideea unei orientări verticale a unui canal tranzistor nu este nouă și chiar a fost implementată de Samsung și IBM. Dar inginerii Regatului de Mijloc au reușit cu adevărat să surprindă pe toată lumea.
Chestia este că obturatorul din dispozitivul rezultat este o tăietură dintr-un singur strat atomic de grafen, a cărui grosime corespunde cu grosimea unui atom de carbon și este egală cu 0,34 nm.
Tehnologie pentru obținerea celui mai mic tranzistor din lume
Deci, pentru a obține un astfel de tranzistor, oamenii de știință au luat ca bază un substrat obișnuit de siliciu. Apoi, pe acest substrat, s-au realizat o pereche de trepte dintr-un aliaj de titan și paladiu. Și o foaie de grafen a fost plasată la nivelul superior. Și, după cum au subliniat oamenii de știință, cu această așezare, nu este necesară o precizie specială.
Apoi, un strat de aluminiu preoxidat în aer a fost plasat pe o foaie de grafen (oxidul acționează ca un izolator pentru structură).
Odată ce aluminiul este la locul său, începe procesul obișnuit de gravare, expunând marginea grafenului, precum și tăierea suprapunerii de aluminiu.
Așa se obține un obturator de grafen de doar 0,34 nm, în timp ce puțin deasupra lui se deschide o felie de aluminiu, care este deja capabilă să formeze un circuit electric, dar nu direct.
La pasul următor, oxidul de hafniu, care este un izolator, este așezat pe trepte și pe partea laterală, care, ca timpul nu permite porții să formeze o conexiune electrică cu restul tranzistorului, precum și cu canalul tranzistor.
Și deja pe stratul de hafniu este așezat dioxidul de molibden semiconductor, care joacă doar rolul unui canal tranzistor, al cărui control se află pe poartă sub forma unei felii de grafen.
Astfel, oamenii de știință au obținut o structură a cărei grosime este egală cu doar doi atomi și o poartă a unui atom. În acest caz, drenul și sursa acestui tranzistor sunt contacte metalice care au fost depuse pe dioxid de molibden.
Așa am reușit să obținem cel mai mic tranzistor din lume cu o poartă de 0,34 nm.
Dacă ți-a plăcut materialul, atunci nu uita să-l evaluezi și, de asemenea, să te abonezi la canal. Vă mulțumim pentru atenție!